书目详细信息
： 嵌入式存储器架构、电路与应用
书目信息 机读格式(MARC)
| ISBN/价格： | 978-7-5088-5710-7:CNY99.00 |
|---|---|
| 作品语种： | chi |
| 出版国别： | CN 110000 |
| 题名责任者项： | 嵌入式存储器架构、电路与应用/.曾晓洋，薛晓勇，温亮著 |
| 出版发行项： | 北京:,科学出版社:,龙门书局:,2020 |
| 载体形态项： | 171页:;+图:;+24cm |
| 丛编项： | 集成电路设计丛书 |
| 一般附注： | 国家出版基金项目 “十三五”国家重点出版物出版规划项目 |
| 提要文摘： | 本书介绍当前主流的嵌入式存储器和近年兴起的新型嵌入式存储器，前者包括SRAM、eDRAM和eFlash，后者包括ReRAM、PRAM、MRAM和FeRAM等。 |
| 题名主题： | 高速缓冲存贮器 架构 |
| 题名主题： | 高速缓冲存贮器 电路设计 |
| 中图分类： | TP333.1 |
| 个人名称等同： | 曾晓洋 著 |
| 个人名称等同： | 薛晓勇 著 |
| 个人名称等同： | 温亮 著 |
| 记录来源： | CN TSG 20200814 |